casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1906(T5L,F,T)
Número da peça de fabricante | RN1906(T5L,F,T) |
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Número da peça futura | FT-RN1906(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1906(T5L,F,T) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | US6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1906(T5L,F,T) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1906(T5L,F,T)-FT |
RN4987FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909FE(TE85L,F)
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RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911FE(TE85L,F)
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RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910FE(T5L,F,T)
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RN1961FE(TE85L,F)
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RN1962FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P125-1TQ144
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-2N
Intel
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
Intel