casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMD12,315
Número da peça de fabricante | PEMD12,315 |
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Número da peça futura | FT-PEMD12,315 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMD12,315 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD12,315 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMD12,315-FT |
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5136DW1T1G
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MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1G
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NSB4904DW1T1G
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NSVMUN5113DW1T3G
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NSVMUN5133DW1T1G
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NSVMUN5137DW1T1G
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
EP1K50FI256-2
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EP4SGX360FH29C3
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XC5VLX30-3FF324C
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XC7A200T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
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EPF6016AFC100-1
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