casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMD12,115
Número da peça de fabricante | PEMD12,115 |
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Número da peça futura | FT-PEMD12,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMD12,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD12,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMD12,115-FT |
SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5136DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-3VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484I6G
Intel
EP2C5F256I8N
Intel
EP3SL150F1152I4
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.