casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVATS5A108PLZT4G
Número da peça de fabricante | NVATS5A108PLZT4G |
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Número da peça futura | FT-NVATS5A108PLZT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NVATS5A108PLZT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 79.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 72W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ATPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVATS5A108PLZT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NVATS5A108PLZT4G-FT |
DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
SCTH90N65G2V-7
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SCTW90N65G2V
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GA50JT06-258
GeneSiC Semiconductor
NVATS5A304PLZT4G
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation