casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NST857BDP6T5G
Número da peça de fabricante | NST857BDP6T5G |
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Número da peça futura | FT-NST857BDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NST857BDP6T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-963 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-963 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST857BDP6T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NST857BDP6T5G-FT |
VT6T1T2R
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