casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / VT6T1T2R
Número da peça de fabricante | VT6T1T2R |
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Número da peça futura | FT-VT6T1T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VT6T1T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 350MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6T1T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VT6T1T2R-FT |
HN1B01FU-Y(L,F,T)
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ULN2004APG,C,N
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2SA1873-Y(TE85L,F)
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ULN2803AFWG,C,EL
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M1A3PE3000-FG484
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APA600-FG256
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5SGXMABK2H40I3N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX220-1FFG1760I
Xilinx Inc.