casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / VT6X11T2R
Número da peça de fabricante | VT6X11T2R |
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Número da peça futura | FT-VT6X11T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VT6X11T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 400MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6X11T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VT6X11T2R-FT |
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
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HN4A56JU(TE85L,F)
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ULN2003APG,CN
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2SA1873-GR(TE85L,F
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2SA1873-Y(TE85L,F)
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2SC4944-Y(TE85L,F)
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ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004ADR
Texas Instruments
LFEC3E-3T100I
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XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
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EP20K200RC240-1X
Intel
EPF8820ARC208-4
Intel