casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / VT6X12T2R
Número da peça de fabricante | VT6X12T2R |
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Número da peça futura | FT-VT6X12T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VT6X12T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 350MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6X12T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VT6X12T2R-FT |
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-Y(TE85L,F)
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2SC4944-Y(TE85L,F)
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ULN2803AFWG,C,EL
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ULN2004ADR
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ULN2003AD
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ULN2003LVDR
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SN75468D
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ULN2004AD
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A3PE3000-2FGG484I
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EP2S60F672C5N
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5SGXEA5N2F45C3N
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EP4S100G4F45I3
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XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel