casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBC143ZDXV6T1G

| Número da peça de fabricante | NSBC143ZDXV6T1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-NSBC143ZDXV6T1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| NSBC143ZDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 500mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSBC143ZDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | NSBC143ZDXV6T1G-FT |

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