casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DMC261060R
Número da peça de fabricante | DMC261060R |
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Número da peça futura | FT-DMC261060R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMC261060R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini5-G3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC261060R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMC261060R-FT |
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LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
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