casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DMA2610H0R
Número da peça de fabricante | DMA2610H0R |
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Número da peça futura | FT-DMA2610H0R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMA2610H0R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini5-G3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA2610H0R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMA2610H0R-FT |
UP04215G0L
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EP20K30ETC144-3N
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XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
Intel
EP4CE22F17C9LN
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
Intel