casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DMA261030R
Número da peça de fabricante | DMA261030R |
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Número da peça futura | FT-DMA261030R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMA261030R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini5-G3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA261030R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMA261030R-FT |
UP0421500L
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DMA964010R
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XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGXEA3K3F40C2LN
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10M50DAF672C6G
Intel
10AX048H2F34I2LG
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10AX027H3F35E2LG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C3
Intel