casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSB1706DMW5T1
Número da peça de fabricante | NSB1706DMW5T1 |
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Número da peça futura | FT-NSB1706DMW5T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSB1706DMW5T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB1706DMW5T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSB1706DMW5T1-FT |
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
A42MX09-3PQG100
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
Intel