casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor MUN5212DW1T1G
- Número da peça MFG
- MUN5212DW1T1G
- Quantidade disponível
- 24860 Peças
- Preço de referência
- USD 0.038536
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- MUN5212DW1T1G.pdf
MUN5212DW1T1G Especificações
| Número da peça de fabricante | MUN5212DW1T1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MUN5212DW1T1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MUN5212DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 250mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MUN5212DW1T1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MUN5212DW1T1G-FT |
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