casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / NRVUB1620CTT4G
Número da peça de fabricante | NRVUB1620CTT4G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NRVUB1620CTT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NRVUB1620CTT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVUB1620CTT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRVUB1620CTT4G-FT |
SMBD 7000 E6433
Infineon Technologies
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
Infineon Technologies
IMN10T108
Rohm Semiconductor
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation