casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAS21UE6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BAS21UE6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAS21UE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS21UE6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SC74-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21UE6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS21UE6327HTSA1-FT |
BAT6404E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBD1405A
ON Semiconductor
1PS181,115
NXP USA Inc.
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.