casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / NSVBAS21TMR6T1G
Número da peça de fabricante | NSVBAS21TMR6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVBAS21TMR6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-74 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel