casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / IMN10T108
Número da peça de fabricante | IMN10T108 |
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Número da peça futura | FT-IMN10T108 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMN10T108 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SMD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMN10T108 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMN10T108-FT |
MMBD1405A
ON Semiconductor
1PS181,115
NXP USA Inc.
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel