casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / IMN10T108
Número da peça de fabricante | IMN10T108 |
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Número da peça futura | FT-IMN10T108 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMN10T108 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-SMD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMN10T108 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMN10T108-FT |
MMBD1405A
ON Semiconductor
1PS181,115
NXP USA Inc.
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
XC4013XL-1HT144I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel