casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSA106M006S0800
Número da peça de fabricante | NOSA106M006S0800 |
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Número da peça futura | FT-NOSA106M006S0800 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSA106M006S0800 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 10µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 800 mOhms |
Corrente - Vazamento | 1.2µA |
Fator de dissipação | 6% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | A |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 (3216 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA106M006S0800 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSA106M006S0800-FT |
NOSD157M006R0100
AVX Corporation
NOSD227M004R0100
AVX Corporation
NOSD227M006R0060
AVX Corporation
NOSD337M002R0100
AVX Corporation
NOSD477M002R0055
AVX Corporation
NOSD477M002R0100
AVX Corporation
NOSD477M004R0100
AVX Corporation
NOSE227M006R0080
AVX Corporation
NOSE227M006R0100
AVX Corporation
NOSE337M004R0100
AVX Corporation
LCMXO2-2000ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
XA6SLX75T-2FGG484Q
Xilinx Inc.
5CEBA7F27C7N
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SGXMA3E2H29C2LN
Intel
A42MX16-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation