casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI30-06A7T
Número da peça de fabricante | MWI30-06A7T |
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Número da peça futura | FT-MWI30-06A7T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MWI30-06A7T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 45A |
Potência - Max | 140W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 600µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI30-06A7T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MWI30-06A7T-FT |
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF300R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
FF450R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation