casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R07ME4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FF600R07ME4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF600R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF600R07ME4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 700A |
Potência - Max | 1800W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R07ME4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF600R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120D3G
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel