casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF1200R17KE3NOSA1
Número da peça de fabricante | FF1200R17KE3NOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF1200R17KE3NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF1200R17KE3NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 595000W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 110nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1200R17KE3NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF1200R17KE3NOSA1-FT |
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel