casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF300R07ME4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FF300R07ME4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF300R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF300R07ME4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 390A |
Potência - Max | 1100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 300A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 18.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R07ME4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF300R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel