casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURB1620CTRT4G
Número da peça de fabricante | MURB1620CTRT4G |
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Número da peça futura | FT-MURB1620CTRT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SWITCHMODE™ |
MURB1620CTRT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 85ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB1620CTRT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURB1620CTRT4G-FT |
RB425D-TP
Micro Commercial Co
RB495D-TP
Micro Commercial Co
SMBD 7000 E6433
Infineon Technologies
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
Infineon Technologies
IMN10T108
Rohm Semiconductor
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
XC6SLX45T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS20-3VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-3
Intel
XC7K325T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I4L
Intel