casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVB114YPDXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSVB114YPDXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVB114YPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVB114YPDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB114YPDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVB114YPDXV6T1G-FT |
NSBC144EPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AT40K20-2CQI
Microchip Technology
EP1SGX10CF672C5N
Intel
10M08SFE144C7G
Intel
EP4SGX360KF43I3N
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10M02DCV36I7G
Intel