casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVB114YPDXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSVB114YPDXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVB114YPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVB114YPDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB114YPDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVB114YPDXV6T1G-FT |
NSBC144EPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel