casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / MP1001G-G
Número da peça de fabricante | MP1001G-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-MP1001G-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MP1001G-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, MP-8 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MP8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP1001G-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MP1001G-G-FT |
GBJ2004
Diodes Incorporated
GBJ2006
Diodes Incorporated
GBJ2010
Diodes Incorporated
GBJ25005
Diodes Incorporated
GBJ2501
Diodes Incorporated
GBJ2502
Diodes Incorporated
GBJ2504
Diodes Incorporated
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
Diodes Incorporated
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel