Número da peça de fabricante | GBJ2006 |
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Número da peça futura | FT-GBJ2006 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2006 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2006 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2006-FT |
HD02-T
Diodes Incorporated
RH04-T
Diodes Incorporated
RH06-T
Diodes Incorporated
KBP206G
Diodes Incorporated
KBP02G
Diodes Incorporated
KBP005G
Diodes Incorporated
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel