Número da peça de fabricante | GBJ2510 |
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Número da peça futura | FT-GBJ2510 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2510 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2510 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2510-FT |
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
KBP06G
Diodes Incorporated
KBP2005G
Diodes Incorporated
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
KBP10G
Diodes Incorporated
KBP01G
Diodes Incorporated
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256C
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F29E3LG
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel