Número da peça de fabricante | GBJ2010 |
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Número da peça futura | FT-GBJ2010 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2010 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2010-FT |
RH04-T
Diodes Incorporated
RH06-T
Diodes Incorporated
KBP206G
Diodes Incorporated
KBP02G
Diodes Incorporated
KBP005G
Diodes Incorporated
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256C
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F29E3LG
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel