casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD200
Número da peça de fabricante | MJD200 |
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Número da peça futura | FT-MJD200 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD200 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potência - Max | 1.4W |
Freqüência - Transição | 65MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD200 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD200-FT |
MJD45H11G
ON Semiconductor
NJVMJD47T4G
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MJD47G
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MJD50G
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MJD243G
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MJD2955G
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NJVMJD45H11G
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LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FGG320C
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XC7A50T-1FG484C
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A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
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EP4CGX30CF23C8
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XC4VLX160-11FFG1148I
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10AX090S4F45E3LG
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