casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NJVNJD35N04G
Número da peça de fabricante | NJVNJD35N04G |
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Número da peça futura | FT-NJVNJD35N04G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NJVNJD35N04G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 4A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 350V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Potência - Max | 45W |
Freqüência - Transição | 90MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVNJD35N04G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NJVNJD35N04G-FT |
MMBT4401WT1G
ON Semiconductor
BC847AWT1G
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A40MX04-VQG80M
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XC7A35T-1FT256I
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LCMXO3LF-4300C-6BG400C
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EP20K200QI240-3
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EPF10K10QC208-4
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