casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NJVMJD45H11G
Número da peça de fabricante | NJVMJD45H11G |
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Número da peça futura | FT-NJVMJD45H11G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NJVMJD45H11G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | 90MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD45H11G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NJVMJD45H11G-FT |
BC848BWT1G
ON Semiconductor
BC856BWT1G
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MMBT4401WT1G
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BC846BWT1G
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8282ALC84-4N
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EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel