casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD45H11G
Número da peça de fabricante | MJD45H11G |
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Número da peça futura | FT-MJD45H11G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD45H11G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | 90MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD45H11G-FT |
MMBT3906WT1G
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MSD42WT1G
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10CL025ZU256I8G
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XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
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