casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M95020-RMN6TP
Número da peça de fabricante | M95020-RMN6TP |
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Número da peça futura | FT-M95020-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M95020-RMN6TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 2Kb (256 x 8) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95020-RMN6TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M95020-RMN6TP-FT |
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel