casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TH58BYG2S3HBAI4
Número da peça de fabricante | TH58BYG2S3HBAI4 |
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Número da peça futura | FT-TH58BYG2S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Benand™ |
TH58BYG2S3HBAI4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-TFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BYG2S3HBAI4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TH58BYG2S3HBAI4-FT |
W25Q128FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel