casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TC58BYG2S0HBAI4
Número da peça de fabricante | TC58BYG2S0HBAI4 |
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Número da peça futura | FT-TC58BYG2S0HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Benand™ |
TC58BYG2S0HBAI4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4G (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-TFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG2S0HBAI4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TC58BYG2S0HBAI4-FT |
W25Q128FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIP
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel