casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TH58NYG2S3HBAI4
Número da peça de fabricante | TH58NYG2S3HBAI4 |
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Número da peça futura | FT-TH58NYG2S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TH58NYG2S3HBAI4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-BGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-BGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58NYG2S3HBAI4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TH58NYG2S3HBAI4-FT |
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG
Winbond Electronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel