casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TH58NYG2S3HBAI4
Número da peça de fabricante | TH58NYG2S3HBAI4 |
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Número da peça futura | FT-TH58NYG2S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TH58NYG2S3HBAI4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-BGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-BGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58NYG2S3HBAI4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TH58NYG2S3HBAI4-FT |
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG
Winbond Electronics
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel