casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / LQA30B150C
Número da peça de fabricante | LQA30B150C |
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Número da peça futura | FT-LQA30B150C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Qspeed™ |
LQA30B150C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 16.3ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA30B150C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQA30B150C-FT |
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP2C35F484I8
Intel
EP4CE15F17A7N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
ICE40LM4K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-1
Intel