casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAS21TMR6T1G
Número da peça de fabricante | BAS21TMR6T1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-BAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21TMR6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-74 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21TMR6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS21TMR6T1G-FT |
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BAR43C
ON Semiconductor
BAR43S
ON Semiconductor
BAS 40-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-06 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-06 B5003
Infineon Technologies