casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / NSVBAS21TMR6T2G
Número da peça de fabricante | NSVBAS21TMR6T2G |
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Número da peça futura | FT-NSVBAS21TMR6T2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVBAS21TMR6T2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-74 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVBAS21TMR6T2G-FT |
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BAR43C
ON Semiconductor
BAR43S
ON Semiconductor
BAS 40-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-06 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-05 B5003
Infineon Technologies