casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / ISC1210EB1R2J
Número da peça de fabricante | ISC1210EB1R2J |
---|---|
Número da peça futura | FT-ISC1210EB1R2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB1R2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 390mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 110MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB1R2J-FT |
ISC1210BN120K
Vishay Dale
ISC1210BN12NM
Vishay Dale
ISC1210BN150J
Vishay Dale
ISC1210BN150K
Vishay Dale
ISC1210BN15NM
Vishay Dale
ISC1210BN180K
Vishay Dale
ISC1210BN18NK
Vishay Dale
ISC1210BN1R0J
Vishay Dale
ISC1210BN1R0K
Vishay Dale
ISC1210BN1R2J
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel