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Número da peça de fabricante | ISC1210EB1R2J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210EB1R2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210EB1R2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 390mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 110MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210EB1R2J-FT |
ISC1210BN120K
Vishay Dale
ISC1210BN12NM
Vishay Dale
ISC1210BN150J
Vishay Dale
ISC1210BN150K
Vishay Dale
ISC1210BN15NM
Vishay Dale
ISC1210BN180K
Vishay Dale
ISC1210BN18NK
Vishay Dale
ISC1210BN1R0J
Vishay Dale
ISC1210BN1R0K
Vishay Dale
ISC1210BN1R2J
Vishay Dale
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel