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Número da peça de fabricante | ISC1210BN1R2J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN1R2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN1R2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 390mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 110MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN1R2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN1R2J-FT |
744901039
Wurth Electronics Inc.
744901047
Wurth Electronics Inc.
744901056
Wurth Electronics Inc.
744901068
Wurth Electronics Inc.
744901082
Wurth Electronics Inc.
744901110
Wurth Electronics Inc.
744901112
Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
744901118
Wurth Electronics Inc.
744901122
Wurth Electronics Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation