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Número da peça de fabricante | ISC1210BN150J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN150J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN150J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 15µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 165mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 2.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 20MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN150J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN150J-FT |
744901010
Wurth Electronics Inc.
744901012
Wurth Electronics Inc.
744901015
Wurth Electronics Inc.
744901018
Wurth Electronics Inc.
744901022
Wurth Electronics Inc.
744901027
Wurth Electronics Inc.
744901033
Wurth Electronics Inc.
744901039
Wurth Electronics Inc.
744901047
Wurth Electronics Inc.
744901056
Wurth Electronics Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel