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Número da peça de fabricante | ISC1210BN15NM |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN15NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN15NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 15nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 720mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN15NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN15NM-FT |
744901015
Wurth Electronics Inc.
744901018
Wurth Electronics Inc.
744901022
Wurth Electronics Inc.
744901027
Wurth Electronics Inc.
744901033
Wurth Electronics Inc.
744901039
Wurth Electronics Inc.
744901047
Wurth Electronics Inc.
744901056
Wurth Electronics Inc.
744901068
Wurth Electronics Inc.
744901082
Wurth Electronics Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel