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Infineon Technologies IRFHM3911TRPBF

Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM3911TRPBF
Price: 0.282032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (250 reviews)

Número da peça MFG: IRFHM3911TRPBF

Quantidade disponível: 54020 Peças

Preço de referência: USD 0.282032

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFHM3911TRPBF.pdf

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IRFHM3911TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFHM3911TRPBF
Número da peça futura	FT-IRFHM3911TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFHM3911TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta), 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PQFN (3x3)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM3911TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFHM3911TRPBF-FT

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