casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC12DN20NS3GATMA1
Número da peça de fabricante | BSC12DN20NS3GATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC12DN20NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC12DN20NS3GATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC12DN20NS3GATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC12DN20NS3GATMA1-FT |
BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC019N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC020N025S G
Infineon Technologies
BSC022N03S
Infineon Technologies
BSC022N03SG
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel