casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC152N10NSFGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC152N10NSFGATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC152N10NSFGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC152N10NSFGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 72µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 114W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC152N10NSFGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC152N10NSFGATMA1-FT |
BSC018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC019N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC020N025S G
Infineon Technologies
BSC022N03S
Infineon Technologies
BSC022N03SG
Infineon Technologies
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC024N025S G
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel