casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC118N10NSGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC118N10NSGATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC118N10NSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC118N10NSGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 71A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 114W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC118N10NSGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC118N10NSGATMA1-FT |
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03LSGATMA1
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BSC016N03MSGATMA1
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BSC016N04LSGATMA1
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BSC018NE2LSATMA1
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BSC018NE2LSIATMA1
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BSC019N02KSGAUMA1
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BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel