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Infineon Technologies IRFH8337TRPBF

Name: IRFH8337TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8337TRPBF
Price: 0.326728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (685 reviews)

Número da peça MFG: IRFH8337TRPBF

Quantidade disponível: 13330 Peças

Preço de referência: USD 0.326728

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH8337TRPBF.pdf

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IRFH8337TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH8337TRPBF
Número da peça futura	FT-IRFH8337TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFH8337TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PQFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH8337TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH8337TRPBF-FT

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