casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFDC20
Número da peça de fabricante | IRFDC20 |
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Número da peça futura | FT-IRFDC20 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFDC20 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFDC20 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFDC20-FT |
TK12Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q60W,S1VQ
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TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20C60W,S1VQ
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TK16C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
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AGL1000V5-FGG256I
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LCMXO3L-4300C-5BG324I
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EP2C20F484C6
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